如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS...如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
TL431是具有三個端子的可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器。它的輸出電壓用兩個電阻就可以設(shè)置從Vr...TL431是具有三個端子的可調(diào)并聯(lián)穩(wěn)壓器。它的輸出電壓用兩個電阻就可以設(shè)置從Vref（2.5V）到36V范圍內(nèi)的任何值。該器件的典型動態(tài)阻抗為0.2Ω，在很多應(yīng)用中用它代...
雙電層電容器（英語：Electrostatic double-layer capacitor）也稱為電雙層電容...雙電層電容器（英語：Electrostatic double-layer capacitor）也稱為電雙層電容器，或超級電容器；一種相對傳統(tǒng)電容器而言具有更高容量的一種電容器。是介于電容器...
2305場效應(yīng)管參數(shù)漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-3.5A；極低RDS（on）的高密度單...2305場效應(yīng)管參數(shù)漏源擊穿電壓-20V，漏極電流為-3.5A；極低RDS（on）的高密度單元設(shè)計、無鉛產(chǎn)品、堅固可靠；封裝形式：SOT-23。2305場效應(yīng)管應(yīng)用于LED感應(yīng)燈、玩...
TL494開關(guān)電源芯片集成了在單個芯片上構(gòu)建脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制電路所需的所有...TL494開關(guān)電源芯片集成了在單個芯片上構(gòu)建脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制電路所需的所有功能。該器件主要設(shè)計用于電源控制，可靈活地為特定應(yīng)用定制電源控制電路。
封裝的選擇：受功率影響較大，一般情況下是根據(jù)電流參數(shù)來決定封裝的選取。如果...封裝的選擇：受功率影響較大，一般情況下是根據(jù)電流參數(shù)來決定封裝的選取。如果幾個封裝都滿足功率和發(fā)熱要求，那么再根據(jù)產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)合理選擇封裝尺寸。 從成本和...
