MOS管開關(guān)電路,開關(guān)電路圖實(shí)例分析-KIA MOS管
信息來源:本站 日期:2024-05-31
導(dǎo)通條件:Vgs>Vth,R1、R2的作用是為了給G、S之間創(chuàng)造一個(gè)Vgs電壓,不需要去關(guān)心G、D之間的電壓關(guān)系(只要沒有達(dá)到擊穿電壓)。另外S極不一定需要接地,只需要滿足Vg與Vs之間的一個(gè)電勢差大于Vth,MOS管依然能夠起到一個(gè)開關(guān)作用。
需要注意的事項(xiàng):
(1)注意IO口的最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,不同芯片的IO口驅(qū)動(dòng)能力不一樣。
(2)了解MOS管的寄生電容,如果寄生電容值較大,導(dǎo)通需要的能量越大,如果IO口的輸出電流峰值較小,管子導(dǎo)通就相對(duì)較慢。
這里我們使用NPN和NMOS管進(jìn)行開關(guān)設(shè)計(jì)(如圖四),當(dāng)Q2輸入低電平時(shí)候,三極管Q2不導(dǎo)通,MOS管Q1的Vgs=0,MOS管Q1不導(dǎo)通。當(dāng)Q2輸入電平為高時(shí),三極管導(dǎo)通,MOS管Q1的Vgs>Vth,MOS管Q1導(dǎo)通。
需要注意的事項(xiàng):
(1)注意MOS管 D、S之間的二極管的方向,不導(dǎo)通的時(shí)候,二極管方向應(yīng)該與電源輸出方向相反。
(2)由于MOS管導(dǎo)通的時(shí)候存在內(nèi)阻,所以MOS管輸出電壓小于實(shí)際輸入電壓。
總結(jié):在選MOS管做開關(guān)時(shí),首先選MOS管的Vds電壓和其Vth開啟電壓,再就是Id電流值是否滿足系統(tǒng)需要,雖然在這些都滿足的條件下,我們也不能忘記關(guān)于MOS管所產(chǎn)生的寄生電容,當(dāng)我們選擇的控制IO口由于帶載能力較弱,而MOS管之間存在較大的寄生電容,這時(shí)我們的開關(guān)就不能及時(shí)響應(yīng),然后再考慮封裝、功耗、價(jià)格之類次要一些的因素,以上是用N溝道MOS管舉例,P溝道MOS管基本也是一樣的原理。
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