KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流160A,采用專有新型溝槽技術(shù)制造,...KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V,漏極電流160A,采用專有新型溝槽技術(shù)制造,極低導通電阻RDS(ON)4mΩ(典型值),最大限度地降低導通電阻,?超低柵極電荷,減...
在半導體器件中,由于空間電荷區(qū)(即耗盡層)的存在而形成的電容。當外加電壓變...在半導體器件中,由于空間電荷區(qū)(即耗盡層)的存在而形成的電容。當外加電壓變化時,耗盡層的寬度和電荷量會變化,導致電容的變化。這種情況下,勢壘電容與耗盡層...
普通二極管(如整流二極管): 負極(陰極,K) 一般有一條白色或銀色環(huán)標記。...普通二極管(如整流二極管): 負極(陰極,K) 一般有一條白色或銀色環(huán)標記。 正極(陽極,A) 沒有標記。
KPD3204B場效應管漏源擊穿電壓-40V,漏極電流-90A,采用先進的高單元密度溝槽技...KPD3204B場效應管漏源擊穿電壓-40V,漏極電流-90A,采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)制造,極低導通電阻RDS(ON)3.2mΩ(典型值)、超低柵極電荷,減少開關(guān)損耗,高...
反向傳輸電容Crss=Cgd,米勒電容主導開關(guān)期間VDS變化階段(米勒平臺),延長開...反向傳輸電容Crss=Cgd,米勒電容主導開關(guān)期間VDS變化階段(米勒平臺),延長開關(guān)時間并增加損耗;