KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術(shù)制造，...KNB2708A場效應管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術(shù)制造，極低導通電阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低導通電阻，?超低柵極電荷，減...
在半導體器件中，由于空間電荷區(qū)（即耗盡層）的存在而形成的電容。當外加電壓變...在半導體器件中，由于空間電荷區(qū)（即耗盡層）的存在而形成的電容。當外加電壓變化時，耗盡層的寬度和電荷量會變化，導致電容的變化。這種情況下，勢壘電容與耗盡層...
普通二極管（如整流二極管）： 負極（陰極，K） 一般有一條白色或銀色環(huán)標記。...普通二極管（如整流二極管）： 負極（陰極，K） 一般有一條白色或銀色環(huán)標記。 正極（陽極，A） 沒有標記。
KPD3204B場效應管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進的高單元密度溝槽技...KPD3204B場效應管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進的高單元密度溝槽技術(shù)制造，極低導通電阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低柵極電荷，減少開關(guān)損耗，高...
反向傳輸電容Crss=Cgd，米勒電容主導開關(guān)期間VDS變化階段（米勒平臺），延長開...反向傳輸電容Crss=Cgd，米勒電容主導開關(guān)期間VDS變化階段（米勒平臺），延長開關(guān)時間并增加損耗；
