KNB2708A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術(shù)制造，...KNB2708A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流160A，采用專有新型溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）4mΩ（典型值），最大限度地降低導(dǎo)通電阻，?超低柵極電荷，減...
在半導(dǎo)體器件中，由于空間電荷區(qū)（即耗盡層）的存在而形成的電容。當(dāng)外加電壓變...在半導(dǎo)體器件中，由于空間電荷區(qū)（即耗盡層）的存在而形成的電容。當(dāng)外加電壓變化時(shí)，耗盡層的寬度和電荷量會(huì)變化，導(dǎo)致電容的變化。這種情況下，勢(shì)壘電容與耗盡層...
普通二極管（如整流二極管）： 負(fù)極（陰極，K） 一般有一條白色或銀色環(huán)標(biāo)記。...普通二極管（如整流二極管）： 負(fù)極（陰極，K） 一般有一條白色或銀色環(huán)標(biāo)記。 正極（陽極，A） 沒有標(biāo)記。
KPD3204B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技...KPD3204B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓-40V，漏極電流-90A，采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS（ON）3.2mΩ（典型值）、超低柵極電荷，減少開關(guān)損耗，高...
反向傳輸電容Crss=Cgd，米勒電容主導(dǎo)開關(guān)期間VDS變化階段（米勒平臺(tái)），延長開...反向傳輸電容Crss=Cgd，米勒電容主導(dǎo)開關(guān)期間VDS變化階段（米勒平臺(tái)），延長開關(guān)時(shí)間并增加損耗；
pmos是低電壓開啟的，其導(dǎo)通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負(fù)值）...pmos是低電壓開啟的，其導(dǎo)通條件是柵極電壓（Vgs）低于閾值電壓（通常為負(fù)值），即柵極相對(duì)于源極為負(fù)電壓時(shí)導(dǎo)通。 pmos管的開通電壓為負(fù)值，通常在-5V至-10V范圍...
