KIA3510AP場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 9mΩ...KIA3510AP場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 9mΩ，最大限度地減少開關(guān)損耗，提高效率；100%單脈沖雪崩能量測試，高效穩(wěn)定可靠；符合...
Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽極壓降降低、電流增大→光...Vo輸出電壓增大→TL431參考極電壓增大→TL431陰極與陽極壓降降低、電流增大→光耦初級電流增大→光耦次級電流增大→FB腳電壓升高→電源管理芯片降低MOS管的占空比...
由兩個555構(gòu)成兩個時鐘電路，由模十六計數(shù)器和組合邏輯門構(gòu)成四種碼產(chǎn)生電路，...由兩個555構(gòu)成兩個時鐘電路，由模十六計數(shù)器和組合邏輯門構(gòu)成四種碼產(chǎn)生電路，由雙D觸發(fā)器和數(shù)據(jù)選擇器構(gòu)成開關(guān)電路，由移位寄存器和八個彩燈構(gòu)成輸出電路，一個時...
KPE4403B P溝道場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=40...KPE4403B P溝道場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-5A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；-5V邏輯電平控制、符合RoHS，高效穩(wěn)定可靠...
N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導(dǎo)體做為襯底，然后在襯底上制作兩...N溝道MOS管是以一個摻入了少量正離子的P型半導(dǎo)體做為襯底，然后在襯底上制作兩個高濃度的N +區(qū)作為源極和漏極。隨后，在源極和漏極之間的絕緣層上制作金屬層作為柵...
MOS管結(jié)電容，是MOS管在極化時，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲電荷的電容...MOS管結(jié)電容，是MOS管在極化時，于柵極與漏極/源極間形成的、能存儲電荷的電容。它作為MOS管的關(guān)鍵參數(shù)，對管子的動態(tài)功耗、響應(yīng)速度等特性有著決定性影響，
