MOS管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極...MOS管的寄生參數(shù)是指在集成電路設(shè)計中，除MOS管基本電氣特性（如柵極電壓、漏極電壓、柵極電流等）外，由于制造工藝、封裝方式以及電路布局等因素而產(chǎn)生的額外參數(shù)...
觸摸延時開關(guān)電路是利用人體作為感應(yīng)信號來控制場效應(yīng)管的導(dǎo)通和關(guān)閉，并加入延...觸摸延時開關(guān)電路是利用人體作為感應(yīng)信號來控制場效應(yīng)管的導(dǎo)通和關(guān)閉，并加入延時電路從而實現(xiàn)延時開關(guān)功能。在工作時，觸碰觸摸電極，電路將導(dǎo)通，在延時所需時間...
電路由聲音拾取放大、光控電路、延時控制三部分組成。MIC、V1、R1、R2、R3、C1...電路由聲音拾取放大、光控電路、延時控制三部分組成。MIC、V1、R1、R2、R3、C1組成語音放大電路，RG、R6、R7、R8、V2等組成光控電路，V3、V4、VD1、C3、R9、K等組...
KIA3510AD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（ON）值為9mΩ，低導(dǎo)通...KIA3510AD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，RDS（ON）值為9mΩ，低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，性能高效低耗；100%雪崩測試，穩(wěn)定可靠...
通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運用輸入輸出端口，既可以...通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運用輸入輸出端口，既可以實現(xiàn)降壓功能，也可以實現(xiàn)升壓功能。它由兩個MOS管和兩個二極管組成。
