sip封裝工藝,sip封裝有哪幾種-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-06-27
系統(tǒng)級封裝SiP（Single In-line Package）是一種單列直插式集成電路封裝技術(shù)，其引腳從封裝單側(cè)引出并呈直線排列，裝配至印刷電路板時呈側(cè)立狀態(tài)。該封裝標(biāo)準(zhǔn)引腳中心距為2.54mm，引腳數(shù)量范圍通常在2至23個之間，多為定制化產(chǎn)品。
sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現(xiàn)一定功能的單個標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個系統(tǒng)或者子系統(tǒng)。
SiP封裝類型
從目前業(yè)界SiP的設(shè)計類型和結(jié)構(gòu)區(qū)分，SiP可分為三類：2D SiP、 堆疊SiP和3D SiP。
2D SiP封裝：是在同一個封裝基板上將芯片一個挨一個的排列以二維的模式封裝在一個封裝體內(nèi)。
堆疊SiP封裝：是在一個封裝中采用物理的方法將兩個或多個芯片堆疊整合起來進行封裝。
3D SiP封裝：是在2D封裝的基礎(chǔ)上，把多個羅芯片、封裝芯片、多芯片甚至圓片進行疊層互聯(lián)，構(gòu)成立體封裝，這種結(jié)構(gòu)也稱作疊層型3D封裝。
sip封裝核心工藝包括晶圓減薄、芯片貼裝、互連形成和封裝體構(gòu)建等步驟。
主要工藝步驟
1.晶圓準(zhǔn)備與減薄
原始晶圓厚度約700pm，需研磨至200pm以下，疊層存儲芯片需減薄至50pm。3·流程包括貼膜保護、背面研磨和清洗，防止芯片損傷。
2.芯片貼裝(Die Attach)
使用銀膠（環(huán)氧樹脂+銀粉）粘接芯片與基板，需控制溫度（120°℃）和壓力以確保牢固性。
關(guān)鍵設(shè)備包括固晶機、Pick up head等。
3.互連技術(shù)
引線鍵合(Wire Bonding)：傳統(tǒng)金/銅線連接方式。
倒裝焊（Flip Chip)：通過凸點直接連接芯片與基板，密度更高。
4.封裝體構(gòu)建。
包括錫膏印刷、回流焊、清洗及最終包封保護。
SiP封裝制程根據(jù)芯片與基板的連接方式，可分為引線鍵合封裝和倒裝焊兩種主要類型。
引線鍵合封裝工藝流程：
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
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