當(dāng)電壓通道和電流通道之間存在時(shí)間偏移時(shí)，測(cè)量結(jié)果明顯偏高或偏低，而器件的開...當(dāng)電壓通道和電流通道之間存在時(shí)間偏移時(shí)，測(cè)量結(jié)果明顯偏高或偏低，而器件的開關(guān)速度越快，偏移的影響就越明顯。圖1為MOS管的關(guān)斷損耗測(cè)量原理圖，由此可見，只有...
一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通...一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為...
下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨...下面的電路摘自實(shí)際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動(dòng)電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨界模式（BCM）的PFC向LED供電的。
雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該...雙脈沖測(cè)試是廣泛應(yīng)用于MOSFET和IGBT等功率開關(guān)元件特性評(píng)估的一種測(cè)試方法。該測(cè)試不僅可以評(píng)估對(duì)象元件的開關(guān)特性，還可以評(píng)估體二極管和IGBT一同使用的快速恢復(fù)...
下圖說明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護(hù)的電路連接。需要注意的是MO...下圖說明了如何使用 P 溝道MOSFET作為反向電壓保護(hù)的電路連接。需要注意的是MOSFET必須安裝在電源端。其中漏極D必須連接到電池的正極，柵極必須連接到系統(tǒng)接地端。...
