首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同...首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時您讓高側(cè)面積更大（旨在降低其電阻），則低側(cè)的面積必減小，而其電阻增加。
Turn OFF 尖峰根據(jù)封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被...Turn OFF 尖峰根據(jù)封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被廣泛采用的TO-247-3L，(b)是近幾年漸漸擴大采用的用于驅(qū)動電路的源極端子（即所謂的...
圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的...圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比LTRACE 小。由于CSNB 中積蓄的能量基本不放電，靜電容量越大電壓尖峰抑...
RC 緩沖電路可在各開關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn O...RC 緩沖電路可在各開關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn ON 時CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，當開關(guān)頻率變高時，RSNB 所消耗的...
半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)...半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)計方法說明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時流過的電流的能量儲存在線路...
