LED電路：利用MOSFET提升效率降低噪聲-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-01-11
LED照明電路（臨界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪聲的案例
下面的電路摘自實際LED照明電路的相關(guān)部分。該LED驅(qū)動電路是DC/DC轉(zhuǎn)換器通過臨界模式（BCM）的PFC向LED供電的。
下面將介紹在該電路中改變PFC部的開關(guān)MOSFET、DC/DC轉(zhuǎn)換器部的開關(guān)MOSFET、以及其柵極電阻RG，并對效率和噪聲進行比較的情況。
原設計使用的超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）標記為“Original”?？紤]到噪聲問題，Original的RG采用100Ω。
對此，將PFC及DC/DC轉(zhuǎn)換器的開關(guān)替換為三種SJ MOSFET，RG也嘗試了100Ω和50Ω兩種方案。MOSFET采用高速開關(guān)型R5207AND，以及新一代產(chǎn)品R6004END和R6004END，噪聲均得以降低。
下表中黃色高亮表示效率高于Original，綠色高亮表示最高效率。
獲得的結(jié)論是PFC采用R5207AND、DC/DC轉(zhuǎn)換器采用R6004END的組合效率最佳，RG為50Ω時的效率更高（3種SJ MOSFET的組合共有9組結(jié)果，效果不好的已被省略）。與Original相比，效率提高了1%左右。效率是電路整體的效率。
另外，請看下面DC/DC轉(zhuǎn)換器部的噪聲特性。數(shù)據(jù)是Original與效率最好的R6004END/50Ω的比較數(shù)據(jù)。
Original的開關(guān)速度比較快，因此采用100Ω的RG作為噪聲對策比較妥當，不過低噪聲的R6004END在RG為50Ω時即使提高開關(guān)速度后噪聲也比Original低，可在提高效率的同時降低噪聲。
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