通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電...通常推挽拓撲中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電壓，這正是由于推挽變換器漏感所致。這就迫使設計師不得不降低變壓器漏感，選用更高...
配置PWM互補輸出的死區(qū)時間，本質上就是在配置TIM1高級控制定時器的剎車和死區(qū)...配置PWM互補輸出的死區(qū)時間，本質上就是在配置TIM1高級控制定時器的剎車和死區(qū)寄存器（TIMx_BDTR）中的DTG[7:0]（死區(qū)發(fā)生器設置）部分。
相對于PWM來說，死區(qū)時間是在PWM輸出的這個時間，上下管都不會有輸出，當然會使...相對于PWM來說，死區(qū)時間是在PWM輸出的這個時間，上下管都不會有輸出，當然會使波形輸出中斷，死區(qū)時間一般只占百分之幾的周期。但是當PWM波本身占空比小時，空出...
上圖所示，正常情況下或者說理想情況下，我們希望電源逐漸上升直到建立穩(wěn)定的電...上圖所示，正常情況下或者說理想情況下，我們希望電源逐漸上升直到建立穩(wěn)定的電源域；但是實際上在某些情況下出現(xiàn)灰色框圖中的問題，電源電壓突然下降然后再次上升...
這種非常高電壓的N溝道功率MOSFET是使用MDmesh設計的? K5技術基于創(chuàng)新的專有垂...這種非常高電壓的N溝道功率MOSFET是使用MDmesh設計的? K5技術基于創(chuàng)新的專有垂直結構。其結果是，對于需要高功率密度和高效率的應用，導通電阻和超低柵極電荷顯著...
