STW21N150 1500V 14A超結(jié)MOSFET電源應(yīng)用-KIA MOS管

STW21N150描述

這種非常高電壓的N溝道功率MOSFET是使用MDmesh設(shè)計(jì)的? K5技術(shù)基于創(chuàng)新的專有垂直結(jié)構(gòu)。其結(jié)果是，對(duì)于需要高功率密度和高效率的應(yīng)用，導(dǎo)通電阻和超低柵極電荷顯著降低。

STW21N150特征

行業(yè)最低RDS（on）x面積

行業(yè)最佳品質(zhì)因數(shù)（FoM）

超低柵極電荷

100%雪崩測(cè)試

齊納保護(hù)

STW21N150 1500V MOSFET

STW21N150兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點(diǎn)與1500V漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計(jì)中。

STW21N150 1500V 14A超結(jié)MOSFET瞄準(zhǔn)計(jì)算機(jī)服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化市場。服務(wù)器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率，同時(shí)電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機(jī)時(shí)間的關(guān)鍵要素，電焊、工廠自動(dòng)化等工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用也需要更大的輸出功率。這些應(yīng)用的輸出功率在75W至230W之間或更高，超結(jié)MOSFET技術(shù)的出色動(dòng)態(tài)開關(guān)性能使其成為工業(yè)應(yīng)用的最佳選擇。

單位面積同態(tài)電阻（Rds(on)）和柵電荷量（Qg）均創(chuàng)市場最低，并擁有業(yè)界最佳的FoM（質(zhì)量因數(shù)）。是時(shí)下主流電源拓?fù)涞睦硐脒x擇，包括標(biāo)準(zhǔn)準(zhǔn)諧振（quasi-resonant）有源鉗位反激式轉(zhuǎn)換器以及LLC 半橋式轉(zhuǎn)換器，均需要寬輸入電壓、高能效（高達(dá)96%）以及輸出功率近200W的電源。其最大漏源電流達(dá)到14A，通態(tài)電阻僅為0.9Ω；采用TO-247封裝。