電流紋波率：?I/IL=?I/Io,因?yàn)?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I變小或者...電流紋波率：?I/IL=?I/Io,因?yàn)?I=2Iac,所以?I/IL=2Iac/IL,要想?I變小或者接近于零，需要電感磁芯的處理能力大于等于電感儲(chǔ)存的能量，磁芯體積與處理能力成正...
輸入濾波電容C上的波形如上圖中的紅線所示，當(dāng)然這是理想情況下的波形，即忽略...輸入濾波電容C上的波形如上圖中的紅線所示，當(dāng)然這是理想情況下的波形，即忽略了整流二極管的內(nèi)阻。ΔV為電壓紋波大小，它根據(jù)負(fù)載的要求而定義。
一個(gè)具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個(gè)示例中，驅(qū)動(dòng)器IC的供電電壓等于...一個(gè)具有理想電壓源的原理圖如圖2所示。在這個(gè)示例中，驅(qū)動(dòng)器IC的供電電壓等于V1、V2之和，而MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)電壓為導(dǎo)通狀態(tài)下的+V1和關(guān)斷狀態(tài)下的–V2（相對(duì)于M...
在開關(guān)期間，晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律，這將...在開關(guān)期間，晶體管會(huì)處于同時(shí)施加了高電壓和高電流的狀態(tài)。根據(jù)歐姆定律，這將導(dǎo)致一定的損耗，具體取決于這些狀態(tài)的持續(xù)時(shí)間（參見圖2）。目標(biāo)是要較大程度地減...
MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。另外...MOSFET和IGBT均為集成在單片硅上的固態(tài)半導(dǎo)體器件，且都屬于電壓控制器件。另外，IGBT和MOSFET在柵極和其他端子之間都有絕緣，兩種器件全部具有較高的輸入阻抗。在...
