當(dāng)Gate的電壓是一個負(fù)值時，在靠近襯底的氧化層面，會吸引空穴，這時候的NMOS管...當(dāng)Gate的電壓是一個負(fù)值時，在靠近襯底的氧化層面，會吸引空穴，這時候的NMOS管工作在積累區(qū)，形成了以Gate和空穴為極板，氧化層為介質(zhì)的電容。
為了穩(wěn)定性，我們一般會在MOS管的柵極加個下拉電阻，在上電的時候把柵極拉低，...為了穩(wěn)定性，我們一般會在MOS管的柵極加個下拉電阻，在上電的時候把柵極拉低，不讓MOS管導(dǎo)通。不過，這個下拉電阻阻值的選擇是很關(guān)鍵的。
NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs...NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs=0時，漏極和源極之間無電流（PN結(jié)擊穿情況等不考慮）。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_器件，因此燈負(fù)載要么“打開”，...柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_器件，因此燈負(fù)載要么“打開”，（V GS = +ve），要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平，（V GS = 0V）。
對于像mos管這樣的半導(dǎo)體器件，要充當(dāng)理想的開關(guān)，它必須具有以下特性：在 ON ...對于像mos管這樣的半導(dǎo)體器件，要充當(dāng)理想的開關(guān)，它必須具有以下特性：在 ON 狀態(tài)下，它可以承載的電流量不應(yīng)有任何限制。
