中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因?yàn)榭紤]到共源共柵電...中間兩層管子L=0.3um，其余放大電路管子L=0.2um。這樣做是因?yàn)榭紤]到共源共柵電路的放大倍數(shù)很大，即使選擇L很小依然滿足放大要求。而且這樣一來(lái)可以盡可能的減小...
通常，最小柵極電壓（對(duì)于5V正邏輯）在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電...通常，最小柵極電壓（對(duì)于5V正邏輯）在0.5V至1V之間。那些高于最大閾值的柵極電壓會(huì)導(dǎo)通MOSFET。在最小柵極電壓的最高點(diǎn)和最大柵極電壓的最低點(diǎn)之間的電壓可能讓M...
如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電...如果電阻抗Z=電阻R+電抗C一樣，熱阻抗Zth=熱阻Rth+熱容Cth；同理，電子領(lǐng)域的電流就等同于熱領(lǐng)域中的元件功率；電壓值也可以等效為溫度值。
高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)...高溫反偏測(cè)試主要用于驗(yàn)證長(zhǎng)期穩(wěn)定情況下芯片的漏電流，考驗(yàn)對(duì)象是MOSFET邊緣結(jié)構(gòu)和鈍化層的弱點(diǎn)或退化效應(yīng)。
SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬...SiC MOSFET的振蕩分別發(fā)生在開通瞬態(tài)的電流上升階段和電壓下降階段、以及關(guān)斷瞬態(tài)的電壓上升階段和電流下降階段這四處。
