MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影...MOSFET中用內(nèi)部二極管，保護(hù)器件免受因連接的電感性負(fù)載,產(chǎn)生的反向EMF尖峰的影響。
對MOSFET的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓...對MOSFET的柵極進(jìn)行充電和放電需要同樣的能量，無論充放電過程快或慢（柵極電壓的上升和下降）。因此，MOSFET驅(qū)動器的電流驅(qū)動能力并不影響由MOSFET柵極的容性負(fù)載...
使用MOSFET驅(qū)動器時可以采用許多不同的電路配置。很多時候，由于高的峰值電流、...使用MOSFET驅(qū)動器時可以采用許多不同的電路配置。很多時候，由于高的峰值電流、驅(qū)動電壓快的上升 / 下降時間以及電路板上長走線引起的電感，需要考慮額外的鉗位電...
1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面積小于IGBT晶元面積，短路時候散熱能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能夠退飽和（desaturation）進(jìn)入線性區(qū)，電流不再增加，能夠自我限流。
鋰電池主要由兩大塊構(gòu)成，電芯和保護(hù)板PCM（動力電池一般稱為電池管理系統(tǒng)BMS）...鋰電池主要由兩大塊構(gòu)成，電芯和保護(hù)板PCM（動力電池一般稱為電池管理系統(tǒng)BMS），電芯相當(dāng)于鋰電池的心臟，管理系統(tǒng)相當(dāng)于鋰電池的大腦。電芯主要由正極材料、負(fù)極...
