為何110V的EB比220V的EB難度要高，最直接的影響是燈的啟動問題，尤其是整燈在高...為何110V的EB比220V的EB難度要高，最直接的影響是燈的啟動問題，尤其是整燈在高溫低壓時，容易出現(xiàn)燈管不能成功啟動，只有兩邊燈絲發(fā)紅。原因是在高溫時磁環(huán)和三極...
在低頻，可以認為輸入端不產(chǎn)生電流，所以放大器，電流增益極高，近于無窮大。而...在低頻，可以認為輸入端不產(chǎn)生電流，所以放大器，電流增益極高，近于無窮大。而電壓增益等于跨導(dǎo)gw乘以漏極負載電阻與漏極動態(tài)電阻之積，
根據(jù)疊加原理，M1柵極接地等效為電阻Ro，那么M2的增益即為帶源級負反饋的共源極...根據(jù)疊加原理，M1柵極接地等效為電阻Ro，那么M2的增益即為帶源級負反饋的共源極，采用T-model可以方便的計算出增益：
如圖所示，令左路電流為10u，PM1和PM0寬長比相同，則由電流鏡定律，右側(cè)電流也...如圖所示，令左路電流為10u，PM1和PM0寬長比相同，則由電流鏡定律，右側(cè)電流也為10u，目標：設(shè)計較為精確的電流鏡，要求輸出（PM3漏端）電壓>VDD-0.6
有幾種辦法可以使得電壓抬升，最可靠的辦法就是采用升壓芯片，將電壓升至需要的...有幾種辦法可以使得電壓抬升，最可靠的辦法就是采用升壓芯片，將電壓升至需要的電壓，再驅(qū)動NMOS管。這確實是比較靠譜的辦法，唯一的缺點就是元件比較多，成本比較...
如圖1所示，這是用三極管、二極管、電阻、電容分立元件搭建的MOS驅(qū)動電路。分析...如圖1所示，這是用三極管、二極管、電阻、電容分立元件搭建的MOS驅(qū)動電路。分析情況如下： 當VH為高電平，Q4就會導(dǎo)通是的Q1的基極為低電平，同時使得Q1導(dǎo)通，VCC...
