線性MOSFET是線性模式應(yīng)用的最合適選擇，能夠確?？煽窟\(yùn)作。然而，用于線性模式...線性MOSFET是線性模式應(yīng)用的最合適選擇，能夠確保可靠運(yùn)作。然而，用于線性模式應(yīng)用時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)MOSFET容易產(chǎn)生電熱不穩(wěn)定性(electro-thermal instability, ETI)，可能...
熱阻其實(shí)可以理解成MOS的散熱能力參數(shù)，熱阻越大，散熱越差，對(duì)于器件而言，如...熱阻其實(shí)可以理解成MOS的散熱能力參數(shù)，熱阻越大，散熱越差，對(duì)于器件而言，如果沒加散熱器，一般只考慮結(jié)到空氣的熱阻，如果加了散熱器，則需考慮結(jié)到外殼，以及...
由于主電路與微控制器STM32功率相差過大，MOS管和控制器之間必須隔離，因此每個(gè)...由于主電路與微控制器STM32功率相差過大，MOS管和控制器之間必須隔離，因此每個(gè)MOS管都采用獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)電路。
下圖對(duì)于散熱器熱阻計(jì)算非常重要。最上方是散熱器，中間是導(dǎo)熱物質(zhì)，比如導(dǎo)熱硅...下圖對(duì)于散熱器熱阻計(jì)算非常重要。最上方是散熱器，中間是導(dǎo)熱物質(zhì)，比如導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱物質(zhì)是為了讓熱量更高效的從功率MOSFET傳導(dǎo)到散熱器，從而最大效率的給功率...
通常情況下，一般把負(fù)載帶電感參數(shù)的負(fù)載，即符合和電源相比負(fù)載電流滯后負(fù)載電...通常情況下，一般把負(fù)載帶電感參數(shù)的負(fù)載，即符合和電源相比負(fù)載電流滯后負(fù)載電壓一個(gè)相位差的特性的負(fù)載為感性(如負(fù)載為電動(dòng)機(jī);變壓器;)。
上圖中，分別是NPN和PNP三極管驅(qū)動(dòng)繼電器的電路原理圖，這兩個(gè)電路中都把繼電器...上圖中，分別是NPN和PNP三極管驅(qū)動(dòng)繼電器的電路原理圖，這兩個(gè)電路中都把繼電器接在了集電極上。因?yàn)槿龢O管驅(qū)動(dòng)繼電器時(shí)需要工作在截止和飽和狀態(tài)，如果把繼電器接...
