中文字幕无线码一区二区,99久久精品国产亚洲麻豆,草莓视频在线下载APP最新版

SiC MOSFET RC吸收電路設(shè)計(jì)、參數(shù)計(jì)算-KIA MOS管

首先根據(jù)波形的振蕩頻率來計(jì)算電路中總的寄生電容值 ( C)和寄生電感值 ( L) ，...首先根據(jù)波形的振蕩頻率來計(jì)算電路中總的寄生電容值 ( C)和寄生電感值 ( L) ，然后再計(jì)算出 RC吸收電路的電阻值 ( RSN) 和電容值 ( CSN) ，RC吸收電路原理如圖

SiC MOSFET輸出短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)-KIA MOS管

SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個(gè)驅(qū)動(dòng)功率小和無需并聯(lián)均流控制等顯...SiC MOSFET具有輸入阻抗高、高頻性能好、單個(gè)驅(qū)動(dòng)功率小和無需并聯(lián)均流控制等顯著優(yōu)勢(shì)。隨著 SiC MOSFET 的發(fā)展和成熟，變流產(chǎn)品向著高頻、高功率密度、高可靠性的...

SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及原理-KIA MOS管

SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求主要有: ①驅(qū)動(dòng)電流要足夠大，以縮短米勒平臺(tái)...SiC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求主要有: ①驅(qū)動(dòng)電流要足夠大，以縮短米勒平臺(tái)的持續(xù)時(shí)間使驅(qū)動(dòng)脈沖前后沿足夠陡峭，尤其在多管并聯(lián)的工況下;

MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻Rg的計(jì)算、選取詳解-KIA MOS管

對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)來說，MOSFET是實(shí)現(xiàn)電流輸出的關(guān)鍵器件，MOS驅(qū)動(dòng)電路作為控制電路...對(duì)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)來說，MOSFET是實(shí)現(xiàn)電流輸出的關(guān)鍵器件，MOS驅(qū)動(dòng)電路作為控制電路和功率電路的接口，其作用至關(guān)重要，它決定了這個(gè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)板卡的性能。

光耦合MOSFET/固態(tài)繼電器圖文詳解-KIA MOS管

光耦MOSFET是一種全固態(tài)繼電器，由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED）和觸點(diǎn)的MOSFET組...光耦MOSFET是一種全固態(tài)繼電器，由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED）和觸點(diǎn)的MOSFET組成。因此，通常將其稱為SSR（固態(tài)繼電器）。