靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵...靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路； 二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，...
電阻R1，電容C2，雙向二極管D2構(gòu)成鋸齒波發(fā)生器，接通 電源 后，C2經(jīng)R1充電，當(dāng)...電阻R1，電容C2，雙向二極管D2構(gòu)成鋸齒波發(fā)生器，接通 電源 后，C2經(jīng)R1充電，當(dāng)C2的電壓達(dá)到D2的擊穿電壓時(shí)，尖電流脈沖加到BG2的柵極，由于變壓器的耦合作用，電...
電源反接，會(huì)給電路造成損壞,不過(guò),電源反接是不可避兔的。所以就需要給電路中加...電源反接，會(huì)給電路造成損壞,不過(guò),電源反接是不可避兔的。所以就需要給電路中加入保護(hù)電路,達(dá)到即使接反電源，也不會(huì)損壞的目的。
當(dāng)Gate的電壓是一個(gè)負(fù)值時(shí)，在靠近襯底的氧化層面，會(huì)吸引空穴，這時(shí)候的NMOS管...當(dāng)Gate的電壓是一個(gè)負(fù)值時(shí)，在靠近襯底的氧化層面，會(huì)吸引空穴，這時(shí)候的NMOS管工作在積累區(qū)，形成了以Gate和空穴為極板，氧化層為介質(zhì)的電容。
為了穩(wěn)定性，我們一般會(huì)在MOS管的柵極加個(gè)下拉電阻，在上電的時(shí)候把柵極拉低，...為了穩(wěn)定性，我們一般會(huì)在MOS管的柵極加個(gè)下拉電阻，在上電的時(shí)候把柵極拉低，不讓MOS管導(dǎo)通。不過(guò)，這個(gè)下拉電阻阻值的選擇是很關(guān)鍵的。
NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs...NMOS管內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如下，導(dǎo)電溝道未形成前，漏極和源極之間有一反向PN結(jié)，在Ugs=0時(shí)，漏極和源極之間無(wú)電流（PN結(jié)擊穿情況等不考慮）。
