RC 緩沖電路可在各開關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn O...RC 緩沖電路可在各開關(guān)元件附近能布局緩沖電路，不過，必須確保每次元件Turn ON 時CSNB 中積存的全部能量均由RSNB 消耗掉。因此，當(dāng)開關(guān)頻率變高時，RSNB 所消耗的...
半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)...半橋電路中，針對MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制方法之一就是增加緩沖電路，其設(shè)計(jì)方法說明了漏極源極之間的電壓尖峰是由于在Turn ON 時流過的電流的能量儲存在線路...
對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即...對于小功率電源(50W以內(nèi))MOS管的驅(qū)動電路設(shè)計(jì)相對簡單，只需要一個驅(qū)動電阻Rg即可對MOS管進(jìn)行驅(qū)動。此時的驅(qū)動開通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
所有的MOS管導(dǎo)通后都存在導(dǎo)通內(nèi)阻，當(dāng)電流流過之后就會產(chǎn)生功率損耗，一般用RD...所有的MOS管導(dǎo)通后都存在導(dǎo)通內(nèi)阻，當(dāng)電流流過之后就會產(chǎn)生功率損耗，一般用RDS(ON)來表示，傳導(dǎo)損耗一般來說和MOS的大小成反比，體積越大，其導(dǎo)通電阻一般能做的...
如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路，上管QH開通過程會在橋臂中點(diǎn)產(chǎn)生高速變...如圖1所示為SiC MOSFET的半橋應(yīng)用電路，上管QH開通過程會在橋臂中點(diǎn)產(chǎn)生高速變化的dv/dt，下管Vds電壓變化通過米勒電容CGD產(chǎn)生位移電流，從而在門極驅(qū)動電阻和寄生...
通過調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度：增大RON/ROFF來減...通過調(diào)節(jié)RON/ROFF 的大小可以來調(diào)整 MOSFET 的開通/關(guān)斷速度：增大RON/ROFF來減慢MOSFET開通/關(guān)斷的速度，減小 dv/dt (di/dt) 從而減小門極電壓尖峰。
