功率放大器一般也被我們稱為電壓放大器，主要是把微弱信號進(jìn)行電壓放大，其輸入...功率放大器一般也被我們稱為電壓放大器，主要是把微弱信號進(jìn)行電壓放大，其輸入輸出的電壓電流一般很小，不能夠只能驅(qū)動(dòng)功率較大的儀器。為了滿足使用需求，需要在...
圖中給出了從“電源IC的損耗”這個(gè)角度考慮時(shí)相關(guān)的部分。本次以輸出段的MOSFE...圖中給出了從“電源IC的損耗”這個(gè)角度考慮時(shí)相關(guān)的部分。本次以輸出段的MOSFET內(nèi)置型IC為例進(jìn)行說明。相關(guān)內(nèi)容見圖中藍(lán)色所示部分。電感除外（因?yàn)殡姼惺峭庵玫模?..
在很多情況下，電源IC的技術(shù)規(guī)格書中給出的是在標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用電路中測試得到的效率...在很多情況下，電源IC的技術(shù)規(guī)格書中給出的是在標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用電路中測試得到的效率曲線圖（效率 vs 輸出電流）。如果所使用的電路條件與規(guī)格書中的效率曲線的條件相同...
首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同...首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。因此，如果為 FET 分配一定的總面積，同時(shí)您讓高側(cè)面積更大（旨在降低其電阻），則低側(cè)的面積必減小，而其電阻增加。
Turn OFF 尖峰根據(jù)封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被...Turn OFF 尖峰根據(jù)封裝的不同而有差異。圖是 SiC MOSFET 的代表性封裝, (a)是被廣泛采用的TO-247-3L，(b)是近幾年漸漸擴(kuò)大采用的用于驅(qū)動(dòng)電路的源極端子（即所謂的...
圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的...圖所示的緩沖電路是通過CSNB 吸收LTRACE 積蓄的能量。因此，在緩沖電路中形成的LSNB 必須比LTRACE 小。由于CSNB 中積蓄的能量基本不放電，靜電容量越大電壓尖峰抑...
