1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe>0.7V(因此設(shè)計(jì)時(shí),需保證Vbe>0.7V,這個(gè)是導(dǎo)通...1、Ib大約為1mA左右 2、Vbe>0.7V(因此設(shè)計(jì)時(shí),需保證Vbe>0.7V,這個(gè)是導(dǎo)通條件);但三極管導(dǎo)通時(shí)Vbe= 0.7V左右
壓控:是指電壓作為控制信號(hào),理想狀態(tài)下,對(duì)于MOS只要VGS的電壓滿足開(kāi)啟要求(...壓控:是指電壓作為控制信號(hào),理想狀態(tài)下,對(duì)于MOS只要VGS的電壓滿足開(kāi)啟要求(Vth),MOS管就導(dǎo)通
NMOS當(dāng)下管,即S極(源極)直接接地,只需控制G極(柵極)電壓即可控制NMOS管的...NMOS當(dāng)下管,即S極(源極)直接接地,只需控制G極(柵極)電壓即可控制NMOS管的導(dǎo)通或截止,因?yàn)镸OS管導(dǎo)通的條件取決于VGS的壓差。
KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的KIA740H熱銷于逆變器后級(jí)電路應(yīng)用中,優(yōu)質(zhì)高效;KIA740H N溝道...KIA半導(dǎo)體生產(chǎn)的KIA740H熱銷于逆變器后級(jí)電路應(yīng)用中,優(yōu)質(zhì)高效;KIA740H N溝道增強(qiáng)型硅柵極功率MOSFET專為高壓、高速功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),如開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器、開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換...
充電開(kāi)始時(shí),應(yīng)先檢測(cè)待充電電池的電壓,如果電壓低于3V,要先進(jìn)行預(yù)充電,充電...充電開(kāi)始時(shí),應(yīng)先檢測(cè)待充電電池的電壓,如果電壓低于3V,要先進(jìn)行預(yù)充電,充電電流為設(shè)定電流 的1/10,一般選0.05C左右。電壓升到3V后,進(jìn)入標(biāo)準(zhǔn)充電過(guò)程。
普遍來(lái)說(shuō),最高效的方式開(kāi)始都是恒流充電(充電速度較快),然后是恒壓充電(充...普遍來(lái)說(shuō),最高效的方式開(kāi)始都是恒流充電(充電速度較快),然后是恒壓充電(充電速度下來(lái)了,因?yàn)殡姵乇旧淼碾妷荷先チ?,最后是涓流充電(在充滿電后,補(bǔ)償因自放...