KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)...KIA20N40H功率MOSFET是使用KIA先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)生產(chǎn)的。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過(guò)特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通電阻，提供卓越的開(kāi)關(guān)性能和換向模式。這些器件非...
光刻步驟類(lèi)似于圖案繪制的過(guò)程。而半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造，可以理解為是重復(fù)的堆疊和...光刻步驟類(lèi)似于圖案繪制的過(guò)程。而半導(dǎo)體的生產(chǎn)制造，可以理解為是重復(fù)的堆疊和切割。利用光刻工藝，在想要切割的位置繪制圖案。
當(dāng)Vg從0V開(kāi)始上升的時(shí)候，p襯底中的多子空穴會(huì)被趕離柵區(qū)從而留下負(fù)電荷（空穴...當(dāng)Vg從0V開(kāi)始上升的時(shí)候，p襯底中的多子空穴會(huì)被趕離柵區(qū)從而留下負(fù)電荷（空穴無(wú)法移動(dòng)，實(shí)際上是電子的移動(dòng)，電子從襯底被抽取上來(lái)，與p型半導(dǎo)體中的受主雜質(zhì)例如...
襯底偏置效應(yīng)，就是當(dāng)襯底（body/substrate）和源（source）之間的電勢(shì)差Vbs不...襯底偏置效應(yīng)，就是當(dāng)襯底（body/substrate）和源（source）之間的電勢(shì)差Vbs不為零的時(shí)候，所產(chǎn)生的一些效應(yīng)的統(tǒng)稱(chēng)。
KNH3625A具有低導(dǎo)通內(nèi)阻，抗沖擊能力強(qiáng)，可靠性高的特點(diǎn)，是一款能夠滿足工業(yè)級(jí)...KNH3625A具有低導(dǎo)通內(nèi)阻，抗沖擊能力強(qiáng)，可靠性高的特點(diǎn)，是一款能夠滿足工業(yè)級(jí)的場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)，能夠高效提升電路品質(zhì)。
如圖所示，Q9 柵極（G）通過(guò)100k電阻上拉到12V，源級(jí)（S）直接連接至12V電源側(cè)...如圖所示，Q9 柵極（G）通過(guò)100k電阻上拉到12V，源級(jí)（S）直接連接至12V電源側(cè)，漏極（D）連接到被控設(shè)備，被控設(shè)備兩端并聯(lián)二極管，用于關(guān)斷設(shè)備后，釋放被控設(shè)備...
