運放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調電流 Ios，眾說周知，理想運放是沒有輸入偏置...運放的輸入偏置電流 Ib 和輸入失調電流 Ios，眾說周知，理想運放是沒有輸入偏置電流 Ib 和輸入失調電流 Ios 的。但每一顆實際運放都會有輸入偏置電流 Ib 和輸入失...
運放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會形成運放的輸入電容 Cin。在許多應...運放的輸入共模電容 Ccm 和差模電容 Cdiff 會形成運放的輸入電容 Cin。在許多應用中，運算放大器的輸入電容都不會造成問題。但在某些應用中會引起放大電路的不穩(wěn)定...
KIA65R700超結場效應管650V7A，減少傳導損耗，提供卓越的開關性能優(yōu)異，可在雪...KIA65R700超結場效應管650V7A，減少傳導損耗，提供卓越的開關性能優(yōu)異，可在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些設備非常適合于交流/直流功率轉換的開關模式操作，...
（1）由于 VBAT 端要提供負載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導通內阻比 NMO...（1）由于 VBAT 端要提供負載的工作電流，因此，要求 PMOS 管的導通內阻比 NMOS 管要更小。一般來說，導通內阻越小，其 Gate 端的結電容就越大，所以 PMOS 管的開...
基于MOS管的防反接電路，如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接...基于MOS管的防反接電路，如NMOS管串入GND管腳的防反接電路。相比于以往的防反接電路，MOS管類型的防反接保護電路，具有低功耗和壓降小的優(yōu)點。
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的超級結技術生產的。這種先進的技術經過特...這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的超級結技術生產的。這種先進的技術經過特別定制，可以最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承...
