PMOS的高邊防反接使用自驅(qū)效應(yīng)，但其存在待機(jī)電流偏大和電流反灌隱患，并且PMO...PMOS的高邊防反接使用自驅(qū)效應(yīng)，但其存在待機(jī)電流偏大和電流反灌隱患，并且PMOS價(jià)格偏高，幾乎沒有使用驅(qū)動(dòng)IC+PMOS高邊防反這種設(shè)計(jì)，所以為了均衡價(jià)格因素和Rdso...
高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構(gòu)，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 e...高壓的功率 MOSFET 通常采用平面型結(jié)構(gòu)，其中，厚的低摻雜的 N-的外延層，即 epi 層，用來保證具有足夠的擊穿電壓，低摻雜的 N-的 epi 層的尺寸越厚，耐壓的額定值...
這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特...這種功率MOSFET是使用KIA半導(dǎo)體先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的。這種先進(jìn)的技術(shù)經(jīng)過特別定制，可以最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承...
boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當(dāng) mosfet 開啟時(shí)，二極管中...boost電路中，二極管和電感的平均電流的區(qū)別在于，當(dāng) mosfet 開啟時(shí)，二極管中的電流為 0，電感電流線性增大；當(dāng) mosfet 關(guān)斷時(shí)，二極管與電感串聯(lián)，二者電流相等...
輸入偏置電流會(huì)流過外面的電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化成運(yùn)放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運(yùn)放話后就...輸入偏置電流會(huì)流過外面的電阻網(wǎng)絡(luò)，從而轉(zhuǎn)化成運(yùn)放的失調(diào)電壓，再經(jīng)運(yùn)放話后就到了運(yùn)入的輸出端，造成了運(yùn)放的輸入誤差。
KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)。該先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過特別定制，可...KIA60R380功率MOSFET采用KIA先進(jìn)的超級(jí)結(jié)技術(shù)生產(chǎn)。該先進(jìn)技術(shù)經(jīng)過特別定制，可最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。...
