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7n80場(chǎng)效應(yīng)管代換,7a800v,?KIA7N80HF參數(shù)現(xiàn)貨-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2025-07-21 

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7a800v,7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

7n80場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)KIA7N80HF漏源擊穿電壓800V,漏極電流7A,采用先進(jìn)的平面條狀DMOS技術(shù)制造,RDS(on)僅為1.4Ω@ VGS=10V,低柵極電荷27nC,最大限度降低導(dǎo)通電阻、提供卓越的開(kāi)關(guān)性能;具有高堅(jiān)固性、快速切換、100%雪崩測(cè)試、改進(jìn)的dv/dt能力,性能出色;在雪崩模式和換向模式下承受高能脈沖,高效穩(wěn)定,非常適合用于高效開(kāi)關(guān)電源,基于半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的有源功率因數(shù)校正系統(tǒng);封裝形式:TO-220F。

7a800v,7n80場(chǎng)效應(yīng)管

7a800v,7n80場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:800V

漏極電流:7A

柵源電壓:±30V

脈沖漏極電流:28A

雪崩能量:650mJ

耗散功率:56W

總柵極電荷:27nC

閾值電壓:3-5V

輸入電容:1300 PF

輸出電容:120 PF

反向傳輸電容:10PF

開(kāi)通延遲時(shí)間:40nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:50nS

上升時(shí)間:100ns

下降時(shí)間:60ns

7a800v,7n80場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書(shū)

7a800v,7n80場(chǎng)效應(yīng)管

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