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032n10n場效應(yīng)管參數(shù),120a100v mos管,KCX032N10N-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-07-03 

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032n10n場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

KCX032N10N場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V,漏極電流120A ,采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造,極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ,卓越的QgxRDS(on)產(chǎn)品(FOM),減少開關(guān)損耗,提高效率;符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),100%DVDS測試、100%雪崩測試,確??煽啃院头€(wěn)定性,在電機(jī)控制和驅(qū)動、電池管理、不間斷電源(UPS)中廣泛應(yīng)用;封裝形式:TO-263、TOLL-8,散熱良好。

032n10n場效應(yīng)管參數(shù)

032n10n場效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:100V

漏極電流:120A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:480A

單脈沖雪崩能量:800MJ

功率耗散:215W

閾值電壓:3V

總柵極電荷:130nC

輸入電容:7470PF

輸出電容:930PF

反向傳輸電容:50PF

開通延遲時間:50nS

關(guān)斷延遲時間:97nS

上升時間:74ns

下降時間:30ns

032n10n場效應(yīng)管參數(shù)規(guī)格書

032n10n場效應(yīng)管參數(shù)

032n10n場效應(yīng)管參數(shù)


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