MOS管開啟電壓定義,mos管開啟電壓一般多少-KIA MOS管

MOS管開啟電壓定義

MOS管的開啟電壓（閾值電壓）是指柵極與源極之間的電壓（VGS）達到一定值時，半導體表面形成導電溝道所需的最小電壓值，其具體數(shù)值因MOS管類型（N溝道/P溝道）和型號而異，通常N溝道為1-2.5V，P溝道為-1至-3V。

開啟電壓（Vth）是MOS管從截止狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷顟B(tài)的臨界電壓，主要由以下因素決定：

1.溝道類型：N溝道MOS管需VGS>0（典型值1-2.5V)，P溝道需VGS<0（典型值-1至-3V）。

2.工藝參數(shù)：包括柵氧化層厚度、半導體載流子濃度等。

3.應用場景：高端驅(qū)動需額外升壓（如VCC+4V）以確保完全導通。

mos管開啟電壓一般多少？

電路中，MOS管的開啟電壓取多少最為合適呢？比如：某Nmos VGS范圍為正負20V，柵極閾值電壓（VGSth）最小為0.8V，最大為1.5V。

那么此時的Mos管柵極電壓取多少最為合適？

在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止狀態(tài)到導通狀態(tài)所需的柵源電壓（VGS）的最小值。對于NMOS管，當VGS大于Vth時，管子開始導通。

考慮到NMOS管的VGS范圍和VGSth范圍，我們可以進行以下分析：

VGS范圍：正負20V。這意味著該NMOS管可以承受從-20V到+20V的柵源電壓。VGSth范圍：0.8V（min）到1.5V（max）。這意味著為了使NMOS管從截止狀態(tài)變?yōu)閷顟B(tài)，柵源電壓VGS至少需要達到2V，但也可能在1.5V時才開始明顯導通。

為了選擇合適的柵極電壓，我們需要考慮以下幾點：

功耗：如果VGS設置得太高，雖然可以確保MOS管完全導通，但可能會增加功耗。

穩(wěn)定性：為了確保MOS管在各種條件下都能穩(wěn)定工作，VGS應設置在VGSth的上方。噪聲裕量：考慮到電路中的噪聲和波動，VGS應有一定的裕量，以確保在噪聲干擾下仍能正常工作。

基于上述考慮，一個常見的做法是將VGS設置為VGSth的最大值加上一定的裕量。在這個例子中，VGSth的最大值是1.5V，我們可以在此基礎上增加一個裕量，接下來討論下這個裕量如何確認首先看下VGS跟IDS的對應關系曲線圖：

在不同的Vgs電壓下lds電流時不同的，在Vds=1V的前提下

當Vgs=2.5V時，Ids=0.2A;

當Vgs=10V時，Ids=0.9A;

而持續(xù)ld=500mA，從曲線關系圖得出，當Vgs大于3V時最為合適，而4V到10V之間lds變化趨勢不大；

接下來我們看下導通電阻Rds_on與lds在不同Vgs電壓下的對應關系:

當Ids=0.1A,在Vgs=2.5V、4.5V和10V下的Rds_on分別是2.7歐姆、1.2歐姆和1歐姆。由此推出當Vgs=2.5V時,Rds_on過高,而Vgs=2.5V和10V時,Rds_on_on差別不大,此時VGS最佳開啟電壓在4.5V到10V。

由上分析知：Vgs=10V時,Rds_on最小,Ids最大,如果要求過電流要大此時比較合適；

然而還需要考慮一點是導通損耗，即P=lds^2*Rds_on。

所以當過電流不需要很大時，選擇Vgs=4.5V對整體性能更加兼容。

聯(lián)系方式：鄒先生

座機：0755-83888366-8022

手機：18123972950（微信同號）

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902

搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號

關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持

免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯(lián)系刪除。