20n50參數(shù)及代換,20a500vmos管,KNH7150A參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-05-09
KNH7150A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流20A，采用專有新平面技術(shù)，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.24，最小化開關(guān)損耗；具有低柵極電荷、快恢復(fù)體二極管，高效低耗、穩(wěn)定可靠，是一款性能出色的器件，7150場效應(yīng)管在適配器充電器、開關(guān)電源、液晶面板電源應(yīng)用中表現(xiàn)出色，可與20N50場效應(yīng)管代換使用，封裝形式：TO-3P。
漏源電壓：20V
漏極電流：500A
柵源電壓：±30V
雪崩能量單脈沖：1500MJ
總功耗：275W
閾值電壓：2-4V
總柵極電荷：65nC
輸入電容：2650pF
輸出電容：255pF
反向轉(zhuǎn)移電容：34pF
開通延遲時(shí)間：34nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：164nS
上升時(shí)間：76ns
下降時(shí)間：85ns
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