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電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管選型,85v120a,KCD3008A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管

信息來(lái)源:本站 日期:2025-04-28 

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電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管選型,85v120a,KCD3008A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)-KIA MOS管


85v120a,KCD3008A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)引腳圖

電機(jī)驅(qū)動(dòng)mos管選型要求:

最大漏-源電壓(VDSS):需高于實(shí)際工作電壓峰值并預(yù)留20%-30%裕量,防止瞬態(tài)過(guò)壓損壞。

最大漏極電流(ID):根據(jù)電機(jī)最大負(fù)載電流選定,需覆蓋連續(xù)模式和瞬態(tài)尖峰電流。選擇低導(dǎo)通電阻的器件以減少損耗。

柵極驅(qū)動(dòng)電壓(VGS):需高于閾值電壓(VGS(th))并留有余量,確保完全導(dǎo)通。

NMOS管:適用于低壓側(cè)開關(guān)(如H橋下管),具有成本低、型號(hào)多、導(dǎo)通電阻小的優(yōu)勢(shì)。

PMOS管:用于高壓側(cè)開關(guān)(如H橋上管),但成本高且可選型號(hào)較少,通常需配合自舉升壓電路實(shí)現(xiàn)高壓驅(qū)動(dòng)。


KCD3008A場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流120A,漏源擊穿電壓為85V,采用先進(jìn)的SGT技術(shù),極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ,最大限度地減少開關(guān)損耗,提高效率;優(yōu)秀的柵極電荷xRDS(開)產(chǎn)品(FOM),穩(wěn)定可靠;在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和DC/DC轉(zhuǎn)換器、SR(同步整流)中能夠高效運(yùn)行;封裝形式:TO-252,散熱良好。

85v120a,KCD3008A場(chǎng)效應(yīng)管

85v120a,KCD3008A場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)

漏源電壓:85V

漏極電流:120A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:480A

雪崩能量單脈沖:560MJ

最大功耗:85W

閾值電壓:3.0V

總柵極電荷:65nC

輸入電容:4030PF

輸出電容:545PF

反向傳輸電容:35PF

開通延遲時(shí)間:20nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:45nS

上升時(shí)間:38ns

下降時(shí)間:20ns

85v120a,KCD3008A場(chǎng)效應(yīng)管規(guī)格書

85v120a,KCD3008A場(chǎng)效應(yīng)管

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