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7a100v mos,SOT-89,5610場(chǎng)效應(yīng)管,?KNS5610A參數(shù)資料-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2025-01-16 

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7a100v mos,SOT-89,5610場(chǎng)效應(yīng)管,KNS5610A參數(shù)資料-KIA MOS管


7a100v mos,KNS5610A參數(shù)引腳圖

KNS5610A場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流7A,漏源擊穿電壓100V,采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù),具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性,RDS(ON)=98mΩ,低柵極電荷,減小開關(guān)損耗;出色的Cdv/dt效應(yīng)設(shè)計(jì),穩(wěn)定可靠,符合RoHS和綠色產(chǎn)品要求;適用于通信設(shè)備、變換器、DC-DC、負(fù)載開關(guān)等,封裝形式:SOT-89。

7a100v mos,KNS5610A參數(shù)


7a100v mos,KNS5610A參數(shù)

漏源電壓:100V

漏極電流:7A

柵源電壓:±20V

脈沖漏電流:14A

最大功耗:22.7W

閾值電壓:1.85V

輸入電容:1535PF

輸出電容:60PF

反向傳輸電容:37PF

總柵極電荷:26.2nC

開通延遲時(shí)間:4.2nS

關(guān)斷延遲時(shí)間:35.6nS

上升時(shí)間:8.2ns

下降時(shí)間:9.6ns

7a100v mos,KNS5610A規(guī)格書

7a100v mos,KNS5610A參數(shù)

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