nmos導(dǎo)通條件電流流向,nmos導(dǎo)通電壓-KIA MOS管

mos管導(dǎo)通條件

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)）。

PMOS的特性，Vsg大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適合用于源極接VCC時(shí)的情況（高端驅(qū)動(dòng)）。

mos管的工作區(qū)域

NMOS的電流流向和導(dǎo)通條件

電流流向：

NMOS的電流流向是從源極（S）到漏極（D）。當(dāng)正向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時(shí)，電流從源極流向漏極，即S-D。

導(dǎo)通條件：

NMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）大于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)。閾值電壓是一個(gè)特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導(dǎo)通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMOS就會(huì)導(dǎo)通。此時(shí)，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是正值或零。

PMOS的電流流向和導(dǎo)通條件

電流流向：

PMOS的電流流向是從漏極（D）到源極（S）。當(dāng)負(fù)向偏置電壓施加在柵極（G）和源極之間時(shí)，電流從漏極流向源極，即D-S。

導(dǎo)通條件：

PMOS的導(dǎo)通條件是當(dāng)柵極和源極之間的電壓（Vgs）小于或等于閾值電壓（Vth）時(shí)。閾值電壓是一個(gè)特定的電壓值，它決定了MOSFET是否導(dǎo)通。一旦Vgs小于或等于Vth，PMOS就會(huì)導(dǎo)通。此時(shí)，柵極和漏極之間的電壓（Vgd）可以是負(fù)值或零。

對(duì)于NMOS：

- 閾值電壓（Vth）：通常在0.2V到0.7V之間，具體取決于器件的尺寸和工藝。

- 電流流向：從源極到漏極（S到D）。

對(duì)于PMOS：

- 閾值電壓（Vth）：通常在-0.2V到-0.7V之間，具體取決于器件的尺寸和工藝。

- 電流流向：從漏極到源極（D到S）。

說明：閾值電壓影響因素：襯底摻雜濃度，金屬半導(dǎo)體功函數(shù)，柵氧化層電容，關(guān)于襯底偏置效應(yīng)等。

NMOS和PMOS兩者的襯底濃度不為相同，然而，襯底濃度越大，對(duì)應(yīng)MOS管的閾值電壓也越大，所以一般PMOS的閾值電壓都要比NMOS要更大一些。

NMOS管的導(dǎo)通特性

NMOS是柵極高電平|VGS| > Vt(G電位比S電位高)導(dǎo)通,低電平斷開,可用來控制與地之間的導(dǎo)通。|VGS| > Vt(G電位比S電位低)導(dǎo)通,高電平斷開,可用來控制與電源之間的導(dǎo)通。

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