MOS管驅(qū)動電路分享,加速MOS管關(guān)斷-KIA MOS管

MOS管驅(qū)動電路

在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，除了考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。作為一個好的設(shè)計方案，更細(xì)致的，MOSFET還應(yīng)考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關(guān)性能。

一個好的MOSFET驅(qū)動電路有以下幾點要求：

1、開關(guān)管開通瞬時，驅(qū)動電路應(yīng)能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關(guān)管能快速開通且不存在上升沿的高頻振蕩。

2、開關(guān)導(dǎo)通期間驅(qū)動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩(wěn)定且可靠導(dǎo)通。

3、關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。

4、驅(qū)動電路結(jié)構(gòu)簡單可靠、損耗小。

5、根據(jù)情況施加隔離。

驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間

驅(qū)動電路,加速MOS管關(guān)斷

圖加速MOS關(guān)斷

關(guān)斷瞬間驅(qū)動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動電阻上并聯(lián)一個電阻和一個二極管，如圖所示，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時間減小，同時減小關(guān)斷時的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時電流過大，把電源IC給燒掉。

驅(qū)動電路,加速MOS管關(guān)斷

圖改進型加速MOS關(guān)斷

用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時，柵源極間電容短接，達到最短時間內(nèi)把電荷放完，最大限度減小關(guān)斷時的交叉損耗。與1圖拓?fù)湎啾容^，還有一個好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時電流不經(jīng)過電源IC，提高了可靠性。

驅(qū)動電路加速MOS管關(guān)斷時間

驅(qū)動電路,加速MOS管關(guān)斷