運(yùn)放電流檢測(cè)電路-高端檢測(cè)、低端檢測(cè)電路-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-09-27
運(yùn)放電流檢測(cè)，檢測(cè)方式有高端檢測(cè)和低端檢測(cè)兩種運(yùn)放電路。
高端運(yùn)放電流檢測(cè)
優(yōu)點(diǎn)：可以檢測(cè)區(qū)分負(fù)載是否短路
無(wú)地電平干擾
缺點(diǎn)：共模電壓高，使用非專(zhuān)用分立器件設(shè)計(jì)較復(fù)雜、成本高、面積大
低端運(yùn)放電流檢測(cè)
優(yōu)點(diǎn)：共模電壓低，可以使用低成本的普通運(yùn)算放大器
缺點(diǎn)：檢流電阻引入地電平干擾，電流越大地電位干擾越明顯，有時(shí)甚至?xí)绊懾?fù)載
舉一個(gè)例子，LMV321芯片，我們對(duì)負(fù)載進(jìn)行取樣，使用datasheet數(shù)據(jù)手冊(cè)查找此芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)。
此處是低端電流取樣檢測(cè)，根據(jù)運(yùn)放的虛短和虛短的原則，V-=V+；有(Vout-V-)/R=V-/R1; 這里整理公式：VOUT=V+*（R+R1）/R1.
然后我們算V+=mos流過(guò)電阻電流*R2 ，整理公式：mos流過(guò)電流電阻電流=V+/R2=VOUT*R1/(R+R1)/R2。
這里高端電流采樣，根據(jù)虛短虛短關(guān)系列出關(guān)系式：（VOUT-V）R06-=(V-V)/R05，V+/R02=（VCC-V+）/R03，注意R06=R02，R05=R03，這里對(duì)稱(chēng)，V-VCC=采樣電流I*R04。
整理最后一項(xiàng)公式得出采樣電流I=VOUT*R05/(R06+R04).
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話(huà)：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車(chē)公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。
