KIA840SD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.7Ω，最...KIA840SD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低導(dǎo)通電阻，減少損耗；低電阻、低柵極電荷，在開關(guān)過程中能夠快速響應(yīng)并...
RC濾波器截止頻率計(jì)算公式： fc = 1 / 2πRC 釋義：截止頻率是指輸出信號(hào)幅值...RC濾波器截止頻率計(jì)算公式： fc = 1 / 2πRC 釋義：截止頻率是指輸出信號(hào)幅值的衰減比例為1/√2的頻率。在RC電路中，該公式用于計(jì)算截止頻率，其中fc表示截止頻...
最大占空比θonmax：θonmax=(Vo*Np/Ns)/[Vp+(Vo*Np/Ns)] 臨界電感Lpo：如果為...最大占空比θonmax：θonmax=(Vo*Np/Ns)/[Vp+(Vo*Np/Ns)] 臨界電感Lpo：如果為PWM式：Lpo=η*θonmax2*Vp2/(2*f*Po)，如果為自激式：Lpo=Lp。
KCY3406A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)...KCY3406A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流為80A，采用KIA的LVMOS工藝技術(shù)生產(chǎn)，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=8.5mΩ，改進(jìn)的工藝和電池結(jié)構(gòu)經(jīng)過特別定制，最大限度地降低導(dǎo)...
如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個(gè)N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，...如圖電源端（高壓側(cè)）的兩個(gè)N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案，其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET，Q2是用于電池充電的功率MOSFET...
