KCT1704A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流260A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)、?專有...KCT1704A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流260A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)、?專有高密度溝槽技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.1mΩ，低柵極電荷減少開關(guān)損耗，提高...
電壓轉(zhuǎn)電流電路（V/轉(zhuǎn)換電路）通過負(fù)反饋機(jī)制將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)，原理基...電壓轉(zhuǎn)電流電路（V/轉(zhuǎn)換電路）通過負(fù)反饋機(jī)制將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為電流信號(hào)，原理基于歐姆定律，通過調(diào)節(jié)電路參數(shù)實(shí)現(xiàn)電壓與電流的線性轉(zhuǎn)換。 采用深度負(fù)反饋放大電路...
肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），屬于金屬-半導(dǎo)體結(jié)電子器件，由金屬層（金/鉬/鎳/鈦...肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），屬于金屬-半導(dǎo)體結(jié)電子器件，由金屬層（金/鉬/鎳/鈦等）與N型半導(dǎo)體（硅/砷化鎵）形成肖特基勢(shì)壘接觸。
KCX050N08N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，...KCX050N08N場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A ，采用先進(jìn)的MOS技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產(chǎn)品（FOM），減少開關(guān)損耗，提高...
高頻開關(guān)電源通過高頻變換實(shí)現(xiàn)高效率電能轉(zhuǎn)換，高頻開關(guān)電源是由輸入濾波、整流...高頻開關(guān)電源通過高頻變換實(shí)現(xiàn)高效率電能轉(zhuǎn)換，高頻開關(guān)電源是由輸入濾波、整流濾波、高頻變換、輸出整流濾波和控制電路組成。
