分立器件 結(jié)構(gòu)：在硅片上通過摻雜、擴(kuò)散等工藝形成，通常只有一個(gè)或少數(shù)幾個(gè)P...分立器件 結(jié)構(gòu)：在硅片上通過摻雜、擴(kuò)散等工藝形成，通常只有一個(gè)或少數(shù)幾個(gè)PN結(jié)。 功能：具有單獨(dú)功能的電子器件，如二極管、晶體管等。
KND6610A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，?采用先進(jìn)的平面溝槽技術(shù)，...KND6610A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓100V，漏極電流15A，?采用先進(jìn)的平面溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地減少導(dǎo)電損失，提供卓越的開關(guān)性能，并能夠...
在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)變壓器時(shí)，其關(guān)鍵電氣參數(shù)中的兩個(gè)參數(shù)(漏電感值和繞組電容量)是需要...在設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)變壓器時(shí)，其關(guān)鍵電氣參數(shù)中的兩個(gè)參數(shù)(漏電感值和繞組電容量)是需要控制的。因?yàn)榇蟮穆╇姼兄岛屠@組電容量可能引起諸如相位漂移、時(shí)間誤差、噪聲和上沖...
在運(yùn)放電路中，當(dāng)兩個(gè)輸入端的電壓幾乎相等時(shí)，認(rèn)為兩個(gè)輸入端之間存在虛短。這...在運(yùn)放電路中，當(dāng)兩個(gè)輸入端的電壓幾乎相等時(shí)，認(rèn)為兩個(gè)輸入端之間存在虛短。這意味著運(yùn)放的差模增益無限大，輸入阻抗無窮大。
KPY3203D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽...KPY3203D場效應(yīng)管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進(jìn)的高細(xì)胞密度溝槽技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)=3.5mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小...
