MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。計(jì)算...MOS管的功率通常指的是其最大耗散功率，即Maximum Power Dissipation，Pd。計(jì)算公式為：Pd = (Tcmax - Tc) / Rth(ch-c)，其中Tcmax是允許的最大溫度，Tc是MOS管的...
V(BR)DSS漏源破壞電壓 V(BR)DSS（有時(shí)候叫做VBDSS）指在特定的溫度和柵源短接...V(BR)DSS漏源破壞電壓 V(BR)DSS（有時(shí)候叫做VBDSS）指在特定的溫度和柵源短接情況下，流過漏極電流達(dá)到一個(gè)特定值時(shí)的漏源電壓。這種情況下的漏源電壓為雪崩擊穿...
截止區(qū)：當(dāng)滿足Ugs＜Ugs(th)，MOS管進(jìn)入截止區(qū)。 截止區(qū)在輸出特性最下面靠近...截止區(qū)：當(dāng)滿足Ugs＜Ugs(th)，MOS管進(jìn)入截止區(qū)。 截止區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標(biāo)的部分，表示MOS管不能導(dǎo)電，處在截止?fàn)顟B(tài)。截止區(qū)也叫夾斷區(qū)，在該區(qū)時(shí)溝道全...
可控硅是一種雙向可導(dǎo)通的半導(dǎo)體開關(guān)，可以通過控制其觸發(fā)角來調(diào)節(jié)電流的大小，...可控硅是一種雙向可導(dǎo)通的半導(dǎo)體開關(guān)，可以通過控制其觸發(fā)角來調(diào)節(jié)電流的大小，在可控硅調(diào)光中，通過改變可控硅的觸發(fā)角，控制電路的導(dǎo)通時(shí)間，從而達(dá)到調(diào)節(jié)燈光亮...
三極管是電流驅(qū)動(dòng)的，即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流；MOS...三極管是電流驅(qū)動(dòng)的，即通過控制基極電流來控制集電極和發(fā)射極之間的電流；MOS管是電壓驅(qū)動(dòng)的，通過控制柵極和源極之間的電壓來控制漏極電流。
