可控硅和mos管的區(qū)別，圖文詳解-KIA MOS管

可控硅和mos管

MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種基于半導(dǎo)體材料和場效應(yīng)原理的數(shù)字電子開關(guān)。它由源極（S）、漏極（D）、柵極（G）和互補介質(zhì)氧化層（OX）組成。

MOS管可以通過柵極電壓的控制來實現(xiàn)導(dǎo)通和截斷狀態(tài)的切換。當(dāng)柵極施加正向電壓時，會形成一個導(dǎo)通通道，電流可以從源極流向漏極；當(dāng)柵極施加負(fù)向電壓時，通道被封閉，電流無法通過。

可控硅是一種功率半導(dǎo)體器件，可以實現(xiàn)電流和電壓的控制。它具有一個控制極（G）、一個負(fù)極（K）和一個正極（A）。

可控硅在導(dǎo)通狀態(tài)下能夠通過電流來控制，只有當(dāng)控制極施加正向電流時，才能夠使得正極和負(fù)極之間形成一個導(dǎo)通路徑。一旦正向電流被斷開，可控硅立即進(jìn)入阻斷狀態(tài)，不再導(dǎo)通電流。

mos管

功率場效應(yīng)管也分結(jié)型、絕緣柵型。但通常指后者中的MOS管，即MOSFET。mos管又分為N溝道、P溝道兩種。

mos管器件符號如下：

耗盡型：柵極電壓為零時，即存在導(dǎo)電溝道。無論VGS正負(fù)都起控制作用。

增強型：需要正偏置柵極電壓，才生成導(dǎo)電溝道。達(dá)到飽和前，VGS正偏越大，IDS越大。

可控硅（SCR）

主要參數(shù)：

額定通態(tài)平均電流IT：代表了可控硅的電流驅(qū)動能力。

反向阻斷峰值電壓VPR：反向控制管子關(guān)斷的電壓。

控制極觸發(fā)電流Ig：觸發(fā)可控硅導(dǎo)通的最小電流。

維持電流IH：沒有觸發(fā)的情況下，維持可控硅導(dǎo)通的最小源、漏級電流。

作用：

整流、逆變，一般用于電源、拖動驅(qū)動電路。

目前，工藝設(shè)備中使用可控硅作為電源、驅(qū)動的越來越少，逐步被IGBT取代，但千安以上的大電流驅(qū)動還有很廣泛的應(yīng)用，比如發(fā)電廠、焊機。

特點：

電流大（可以到幾千、上萬安培），但開關(guān)速度慢。大電流的可控硅關(guān)斷往往需要輔助電路。

可控硅和mos管的區(qū)別

工作原理：

可控硅的工作原理基于PN結(jié)組成的四層結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在正向電流注入時會形成一種相互注入的狀態(tài)，從而實現(xiàn)導(dǎo)通。同時，可控硅也需要一個觸發(fā)電壓來將其從阻斷狀態(tài)切換到導(dǎo)通狀態(tài)。觸發(fā)電壓可以是正向電壓脈沖、連續(xù)正向電壓或施加在G極的觸發(fā)脈沖。

MOS管的工作原理基于柵極電壓的變化，其柵極與互補介質(zhì)氧化層（OX）之間的電容可以通過施加不同的電壓來進(jìn)行控制。當(dāng)柵極電壓高于臨界電壓時，導(dǎo)通通道形成，將電流從源極引導(dǎo)到漏極。而當(dāng)柵極電壓低于臨界電壓時，導(dǎo)通通道關(guān)閉，電流無法通過。

外部特征：

可控硅和MOS管的外部外形和引腳排列也存在一些區(qū)別。可控硅常常采用多腳直插封裝，每個引腳分別標(biāo)有G、K和A；而MOS管常采用TO-92、TO-126或SOT-23等封裝形式，通常具有源極、漏極和柵極三個引腳。

作用不同：

可控硅是一種雙向可導(dǎo)通的半導(dǎo)體開關(guān)，可以通過控制其觸發(fā)角來調(diào)節(jié)電流的大小，在可控硅調(diào)光中，通過改變可控硅的觸發(fā)角，控制電路的導(dǎo)通時間，從而達(dá)到調(diào)節(jié)燈光亮度的目的；MOS管除了具有信號放大作用，還具有開關(guān)作用，作為開關(guān)時，MOS管的開關(guān)速度要高于可控硅。

應(yīng)用：

可控硅由于其能夠控制大功率電流，因此廣泛應(yīng)用于交流電調(diào)光、交流電電機調(diào)速、交流電電源控制等高功率場合。此外，可控硅還被廣泛應(yīng)用于起動電路、保護(hù)電路和能源調(diào)節(jié)等領(lǐng)域。

MOS管由于其具有較高的開關(guān)速度和較低的功耗，廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、通信系統(tǒng)和計算機等領(lǐng)域。在集成電路中，MOS管被用于構(gòu)建邏輯門、存儲器芯片和微處理器等數(shù)字電路。

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