相移全橋電路中輕負載時流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂...相移全橋電路中輕負載時流過的電流小，LS中積蓄的能量少，所以很有可能在滯后臂的COSS充放電完成之前就開始開關(guān)工作。因此，ZVS工作無法執(zhí)行，很容易發(fā)生MOSFET的...
例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V...例如，許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時，Rdrift成為主...
N溝道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D ...N溝道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A 功率MOSFET 100%測試
通過模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個四端口網(wǎng)絡(luò)，這是在實際器件中襯底也是需要...通過模型導(dǎo)出的器件Model通常是一個四端口網(wǎng)絡(luò)，這是在實際器件中襯底也是需要接參考的。 通常NMOS器件襯底接地（或最低電平），相對應(yīng)PMOS器件襯底接電源（或最...
1、柵極長度L是載流子必須經(jīng)源到漏的距離，因此L直接關(guān)系到器件的速度，L越小，...1、柵極長度L是載流子必須經(jīng)源到漏的距離，因此L直接關(guān)系到器件的速度，L越小，器件的速度越快，功耗越低。 2、溝道寬度W決定了器件的強度，器件越寬，并行穿過器...
以NMOS為例介紹MOSFET的基本結(jié)構(gòu)，如下圖所示，器件以p型硅為襯底，并擴散形成...以NMOS為例介紹MOSFET的基本結(jié)構(gòu)，如下圖所示，器件以p型硅為襯底，并擴散形成兩個重參雜n+的區(qū)域，分別為源端（Source）和漏端（Drawn），應(yīng)當(dāng)注意的是，對于單個...
