上圖是一個(gè)控制MOS管開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單電路圖，根據(jù)之前的分析，MOS管柵極與源極之間有...上圖是一個(gè)控制MOS管開(kāi)關(guān)的簡(jiǎn)單電路圖，根據(jù)之前的分析，MOS管柵極與源極之間有寄生電容，柵極與漏極之間也有寄生電容。 另外，MOS管源極接地，漏極輸出，這種情...
NMOS是柵極高電平（VGS > Vt）導(dǎo)通,低電平斷開(kāi),可用來(lái)控制與地之間的導(dǎo)通。適合...NMOS是柵極高電平（VGS > Vt）導(dǎo)通,低電平斷開(kāi),可用來(lái)控制與地之間的導(dǎo)通。適合用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。
用一只精心挑選的運(yùn)放、一個(gè)低閾值的P溝道MOSFET,以及兩只反饋電阻，就可以做出...用一只精心挑選的運(yùn)放、一個(gè)低閾值的P溝道MOSFET,以及兩只反饋電阻，就可以做出一個(gè)正向壓降小于二極管的整流電路（圖1）。整流后的輸出電壓為有源電路供電，因此...
MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中，它們...MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)元件廣泛應(yīng)用于調(diào)節(jié)器和馬達(dá)控制器。在各種H橋配置中，它們不僅可是分立器件也可集成到IC。
MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪...MOSFET是一種常見(jiàn)的電壓型控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、安全工作區(qū)域(SOA)寬等一系列的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛的...
KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵...KIA3400采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（on），低柵極電荷并在低至2.5V的柵極電壓下運(yùn)行。該裝置適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3400是無(wú)鉛的（符合ROH...
