即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信...即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)...
這種雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本。它已針對(duì)需要大...這種雙P溝道MOSFET是KIA先進(jìn)的P溝道工藝的一個(gè)堅(jiān)固的柵極版本。它已針對(duì)需要大范圍給定驅(qū)動(dòng)電壓的電源管理應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。額定值（4.5 V–20 V）。
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開(kāi)通（ZVS）...LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開(kāi)通（ZVS），MOSFET的開(kāi)通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個(gè)...
在電路設(shè)計(jì)時(shí)我們常常遇到開(kāi)漏（open drain）和開(kāi)集（open collector）的概念。...在電路設(shè)計(jì)時(shí)我們常常遇到開(kāi)漏（open drain）和開(kāi)集（open collector）的概念。這兩個(gè)概念到底是什么呢？下文給你帶來(lái)詳細(xì)介紹。 開(kāi)漏（opendrain）介紹 開(kāi)漏電...
開(kāi)關(guān)損耗，指的是在芯片內(nèi)部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打開(kāi)和關(guān)閉的器件...開(kāi)關(guān)損耗，指的是在芯片內(nèi)部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打開(kāi)和關(guān)閉的器件產(chǎn)生的功耗。如圖一的顯示兩種開(kāi)關(guān)電源控制芯片內(nèi)部架構(gòu)，以BUCK的方式為例。
圖中電池的正電通過(guò)開(kāi)關(guān)S1接到場(chǎng)效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個(gè)P溝道管，它的...圖中電池的正電通過(guò)開(kāi)關(guān)S1接到場(chǎng)效應(yīng)管Q1的2腳源極，由于Q1是一個(gè)P溝道管，它的1腳柵極通過(guò)R20電阻提供一個(gè)正電位電壓，所以不能通電，電壓不能繼續(xù)通過(guò)，3v穩(wěn)壓I...
