在講解MOSFET的開啟過(guò)程之前，先說(shuō)以下電容C的充放電過(guò)程，下面以1uF陶瓷電容為...在講解MOSFET的開啟過(guò)程之前，先說(shuō)以下電容C的充放電過(guò)程，下面以1uF陶瓷電容為例，我們仿真一下電容在充電和放電兩個(gè)過(guò)程中，電容兩端的電壓和電流的波形圖是什么...
現(xiàn)在用在音響上的功率MOS又分正溫和負(fù)溫管，如K1058等是負(fù)溫管，溫度越高同樣的...現(xiàn)在用在音響上的功率MOS又分正溫和負(fù)溫管，如K1058等是負(fù)溫管，溫度越高同樣的Vgs得到的ID越小。IRFP240等是正溫管，溫度越高，Vgs開啟電壓越低，同樣的Vgs下得到...
共源極電路除有圖16-13 所示的接法外，還可采用圖16-14 所示的電路。這種電路的...共源極電路除有圖16-13 所示的接法外，還可采用圖16-14 所示的電路。這種電路的柵偏壓是由負(fù)電壓UG經(jīng)偏置電阻RG提供的。該電路雖然簡(jiǎn)單.但R G不易取得過(guò)大.否則會(huì)...
三極管的飽和區(qū)：Ic不隨Ib的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。MOS管的飽和區(qū)：Ids不...三極管的飽和區(qū)：Ic不隨Ib的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。MOS管的飽和區(qū)：Ids不隨Vds的增大而增大，所以稱為飽和區(qū)。
研究MOSFET特性采用的典型電路：如圖所示MOSFET有三個(gè)極，分別是柵極G、漏極D、...研究MOSFET特性采用的典型電路：如圖所示MOSFET有三個(gè)極，分別是柵極G、漏極D、源極S。RL作為載流電阻，V0_out一直等效于Vds。G_in為柵極的輸入（在之后的說(shuō)明中用...
1、信號(hào)放大 為何放大： 1).信號(hào)電壓太小，不易察覺 2).信號(hào)功率太小，不能...1、信號(hào)放大 為何放大： 1).信號(hào)電壓太小，不易察覺 2).信號(hào)功率太小，不能驅(qū)動(dòng)負(fù)載 3).傳輸過(guò)程中信號(hào)易被噪聲淹沒
