初級MOSFET的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種...初級MOSFET的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障，如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通電流、體二極管dv/dt、擊穿dv/dt，以及柵極氧化層擊穿，異...
MOS管6A20V KIA9926A原廠介紹 廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司是一家專業(yè)從事中...MOS管6A20V KIA9926A原廠介紹 廣東可易亞半導(dǎo)體科技有限公司是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應(yīng)管(MOSFET)、快速恢復(fù)二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設(shè)計，集研發(fā)、生產(chǎn)和...
MOSFET 的功率損耗主要受限于 MOSFET 的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不...MOSFET 的功率損耗主要受限于 MOSFET 的結(jié)溫，基本原則就是任何情況下，結(jié)溫不能超過規(guī)格書里定義的最高溫度。而結(jié)溫是由環(huán)境溫度和 MOSFET 自身的功耗決定的。下...
接通電源開關(guān)后，市電電壓經(jīng)整流、濾波后，獲得約300V的直流電壓，一路經(jīng)開關(guān)變...接通電源開關(guān)后，市電電壓經(jīng)整流、濾波后，獲得約300V的直流電壓，一路經(jīng)開關(guān)變壓器的一次繞組送到開關(guān)管的漏極；另一路經(jīng)R1、R2對C1進(jìn)行充電，當(dāng)C1兩端電壓達(dá)到一...
在功率變換市場中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高...在功率變換市場中，尤其對于通信/服務(wù)器電源應(yīng)用，不斷提高功率密度和追求更高效率已經(jīng)成為具挑戰(zhàn)性的議題。對于功率密度的提高，普遍方法就是提高開關(guān)頻率，以便...
輸出電流控制技術(shù)隨半導(dǎo)體開關(guān)的進(jìn)步而發(fā)展。對大多數(shù)負(fù)載管理電路來說，MOSFE...輸出電流控制技術(shù)隨半導(dǎo)體開關(guān)的進(jìn)步而發(fā)展。對大多數(shù)負(fù)載管理電路來說，MOSFET晶體管正在迅速取代繼電器成為所選擇的開關(guān)技術(shù)。
