80V160A低壓MOS管 KNX2708A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專有新型溝槽技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=4...80V160A低壓MOS管 KNX2708A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專有新型溝槽技術(shù) 2、RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 3、低柵電荷最小開(kāi)關(guān)損耗 4、快速恢復(fù)體二極管
場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-H橋原理 所謂的H橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)...場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)-H橋原理 所謂的H橋電路就是控制電機(jī)正反轉(zhuǎn)的。場(chǎng)效應(yīng)管電機(jī)驅(qū)動(dòng)：下圖就是一種簡(jiǎn)單的H橋電路,它由2個(gè)P型場(chǎng)效應(yīng)管Q1、Q2與2個(gè)N型場(chǎng)效應(yīng)管Q3、Q3...
80V?150A MOS管?KNX2808A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=4.0mΩ（typ）.@VGS=10V 100%雪...80V?150A MOS管?KNX2808A產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=4.0mΩ（typ）.@VGS=10V 100%雪崩測(cè)試 可靠、堅(jiān)固耐用 無(wú)鉛和綠色設(shè)備可用（符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)）
對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，Rdson 與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系,要想提高BV ,都是從減小EPI...對(duì)于常規(guī)VDMOS器件結(jié)構(gòu)，Rdson 與BV這一對(duì)矛盾關(guān)系,要想提高BV ,都是從減小EPI參雜濃度著手，但是外延層又是正向電流流通的通道，EPI 參雜濃度減小了,電阻必然變大...
場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)間繼電器如何工作？ 場(chǎng)效應(yīng)管具有極高的輸入阻抗，導(dǎo)通時(shí)從電源輸入...場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)間繼電器如何工作？ 場(chǎng)效應(yīng)管具有極高的輸入阻抗，導(dǎo)通時(shí)從電源輸入的電流幾乎可以忽略。因此允許采用很大的充電電阻，有利于比延時(shí)的提高。 （1）電...
IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-產(chǎn)品特征 KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的...IRFB3607代替MOS管 KIA75NF75-產(chǎn)品特征 KIA75NF75 80V80A可完美代替IRFB3607的型號(hào)，下面介紹一下IRFB3607代替型號(hào)的參數(shù)、封裝等詳情。 1、RDS(ON)=7mΩ@VGS=1...
