MOS管100V150A KNX2810A-產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計(jì)...MOS管100V150A KNX2810A-產(chǎn)品特點(diǎn) RDS(on)=5.0mΩ@VGS=10V 超高密度電池設(shè)計(jì) 超低導(dǎo)通電阻 雪崩測試100% 提供無鉛和綠色設(shè)備（符合RoHS）
MOS管接法：圖中使用的是NMOS管，左邊的電路中，控制端為0V時(shí)MOS管關(guān)斷，S極的...MOS管接法：圖中使用的是NMOS管，左邊的電路中，控制端為0V時(shí)MOS管關(guān)斷，S極的電平為0，當(dāng)G極給一定電壓U0時(shí)MOS管導(dǎo)通，這時(shí)候負(fù)載（R）有電流（I）通過，S極的電...
KNX7610A采用溝槽加工技術(shù)設(shè)計(jì)，具有極低的導(dǎo)通電阻。這種設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)特點(diǎn)是:17...KNX7610A采用溝槽加工技術(shù)設(shè)計(jì)，具有極低的導(dǎo)通電阻。這種設(shè)計(jì)的傳統(tǒng)特點(diǎn)是:175℃結(jié)工作溫度 、 快速的開關(guān)速度和良好的溫度。改進(jìn)了重復(fù)雪崩等級。這些特性結(jié)合在...
功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的...功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此，要求同時(shí)輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態(tài)。一般直接驅(qū)動(dòng)負(fù)載，帶載能力要強(qiáng)。功率MOSFE...
NCE0115K替代MOS管KNX6610A 100V15A 本文主要介紹NCE0115K與KNX6610A兩款型號...NCE0115K替代MOS管KNX6610A 100V15A 本文主要介紹NCE0115K與KNX6610A兩款型號，主要從它們的功能及封裝引腳圖、規(guī)格書、參數(shù)、電路特征等知識匯總。 NCE0115K替...
功率場效應(yīng)晶體管分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal O...功率場效應(yīng)晶體管分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一...
