MOS管KNX4820 200V9A規(guī)格書產(chǎn)品描述 KNX4820溝道增強型硅柵功率MOSFET設計用于...MOS管KNX4820 200V9A規(guī)格書產(chǎn)品描述 KNX4820溝道增強型硅柵功率MOSFET設計用于高壓，高速電源切換應用，如高效開關電源、基于半橋拓撲的電子鎮(zhèn)流器功率因數(shù)校正。...
MOS管靜態(tài)功耗步驟 如下圖所示的NMOS反相器，現(xiàn)在要計算其靜態(tài)功耗。當輸入信...MOS管靜態(tài)功耗步驟 如下圖所示的NMOS反相器，現(xiàn)在要計算其靜態(tài)功耗。當輸入信號為高電平時，NMOS閉合，但是又不是一個理想的開關，所以有開關電阻RON。
三極管和MOS管控制區(qū)別 經(jīng)?？吹皆谑褂脝纹瑱CI/O口驅動MOS管時，不是使用單片...三極管和MOS管控制區(qū)別 經(jīng)?？吹皆谑褂脝纹瑱CI/O口驅動MOS管時，不是使用單片機I/O口直接驅動，而是經(jīng)過一級三極管，使用三極管驅動MOS管。
國產(chǎn)MOS管KNX7115A 150V20A產(chǎn)品概述 KNX7115A是性能最好的溝槽N型MOSFET，具有...國產(chǎn)MOS管KNX7115A 150V20A產(chǎn)品概述 KNX7115A是性能最好的溝槽N型MOSFET，具有極高的單元密度。大部分為同步降壓變換器提供了優(yōu)良的RDSON和柵極電荷應用。KNX711...
這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產(chǎn)的。這個先進的技術...這種功率MOSFET是使用KIA半導體先進的平面條紋DMOS技術生產(chǎn)的。這個先進的技術是KIA半導體特別定制，以盡量減少通態(tài)電阻，提供優(yōu)越的開關性能，能承受雪崩和換向模...
MOS管和三極管的特性曲線分別如圖1和圖2所示，它們各自區(qū)間的命名有所不同，其...MOS管和三極管的特性曲線分別如圖1和圖2所示，它們各自區(qū)間的命名有所不同，其中MOS管的飽和區(qū)也稱為恒流區(qū)、放大區(qū)。 其中一個主要的不同點在于MOS管有個可變電...
