500V9A KIA4750S資料 MOS管-應(yīng)用程序 適配器 充電器 smp備用電源 特性 通...500V9A KIA4750S資料 MOS管-應(yīng)用程序 適配器 充電器 smp備用電源 特性 通過(guò)無(wú)鉛認(rèn)證 RDS(on)= 0.7Ω@VGS= 10 V 低柵電荷使開(kāi)關(guān)損耗最小化 快速恢復(fù)體二極...
跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值...跟雙極性晶體管相比，一般認(rèn)為使MOS管導(dǎo)通不需要電流，只要GS電壓高于一定的值，就可以了。這個(gè)很容易做到，但是，我們還需要速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在G...
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ，具有很高的戰(zhàn)略地...功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費(fèi) 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ，具有很高的戰(zhàn)略地位，下面我們從一張圖看功率器件的全貌：功率半導(dǎo)體器件又可根據(jù)對(duì)電路信號(hào)的控程度...
500V5A??MOS管參數(shù) KIA5N50H產(chǎn)品特征 RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合Ro...500V5A??MOS管參數(shù) KIA5N50H產(chǎn)品特征 RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的 低導(dǎo)通電阻 低柵電荷
MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝...MOS管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作兩個(gè)高摻雜濃度的 N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作為漏極D和源極S。然后...
MOS管400V10A KNX6140A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專(zhuān)有平面新技術(shù) 2、RDS(ON)，typ.=0.35Ω...MOS管400V10A KNX6140A產(chǎn)品特點(diǎn) 1、專(zhuān)有平面新技術(shù) 2、RDS(ON)，typ.=0.35Ω@VGS=10V 3、低門(mén)電荷減小開(kāi)關(guān)損耗 4、快恢復(fù)體二極管
