中國半導體器件型號命名方法 一、 半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導...中國半導體器件型號命名方法 一、 半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個...
SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力...SiC的物理特性和特征 SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體（多晶型體），它們的物...
KIA20N50H 500V20A規(guī)格書 參數(shù)? 1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專...KIA20N50H 500V20A規(guī)格書 參數(shù)? 1、KIA20N50H N溝道增強型硅柵功率MOSFET是專為高功率MOSFET設計的電壓，高速功率開關應用，如高效率開關電源等。有源功率因數(shù)校...
下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一：一反激電源實測Ids電流時前端有...下面針對反激電源實測波形來分析一下。問題一：一反激電源實測Ids電流時前端有一個尖峰(如下圖紅色圓圈里的尖峰圖),這個尖峰到底是什么原因引起的?怎么來消除或者...
MOS管KIA18N50H概述 KIA18N50H 是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設...MOS管KIA18N50H概述 KIA18N50H 是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計的。電壓、高速功率開關應用，如高效開關電源，功率因數(shù)校正。
KIA品牌MOS管KNX6650A增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設計的。高速功率開關應用，...KIA品牌MOS管KNX6650A增強型硅柵功率MOSFET是為高壓設計的。高速功率開關應用，如高效率開關電源，有源，開關電源等?；诎霕蛲負涞墓β室驍?shù)校正電子燈鎮(zhèn)流器。
